[发明专利]一种新型等离子升华结晶炉及碳化硅晶体棒的制备方法在审
| 申请号： | 202010581045.8 | 申请日： | 2020-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN111663184A | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 柯良节 | 申请（专利权）人： | 柯良节 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 徐凯凯 |
| 地址： | 中国香港火炭穗禾*** | 国省代码： | 香港;81 |
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| 摘要： | 本发明公开一种新型等离子升华结晶炉及碳化硅晶体棒的制备方法，其中，所述新型等离子升华结晶炉包括密封腔体，设置在所述密封腔体内的结晶模具以及等离子加热器，所述等离子加热器用于对放置在密封腔体内的碳化硅进行加热生成气化碳化硅，所述结晶模具用于将所述气化碳化硅聚集并结晶生成碳化硅晶体棒。本发明采用等离子加热器直接对碳化硅进行加热使其气化，能够提升热能利用效率，使得碳化硅晶体棒的制备效率更高，更节能；所述等离子加热器可根据不同的材质调节不同的温度，操作方便；且所述等离子加热器的加热区域可调。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 等离子 升华 结晶 碳化硅 晶体 制备 方法 | ||
【主权项】：
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