[发明专利]一种新型等离子升华结晶炉及碳化硅晶体棒的制备方法

权利要求书

1.一种新型等离子升华结晶炉，其特征在于，包括密封腔体，设置在所述密封腔体内的结晶模具以及等离子加热器，所述等离子加热器用于对放置在密封腔体内的碳化硅进行加热生成气化碳化硅，所述结晶模具用于将所述气化碳化硅聚集并结晶生成碳化硅晶体棒。

2.根据权利要求1所述的新型等离子升华结晶炉，其特征在于，所述结晶模具为棒状结构。

3.根据权利要求1所述的新型等离子升华结晶炉，其特征在于，所述密封腔体内还设置有通入惰性气体的充气孔。

4.一种基于权利要求1-3任一所述新型等离子升华结晶炉的碳化硅晶体棒的制备方法，其特征在于，包括步骤：

向密封空间内通入惰性气体；

采用等离子加热器对放置在所述密封腔体内的碳化硅进行加热，得到气化碳化硅；

通过所述结晶模具使气化碳化硅重新结晶，形成完整的碳化硅晶体棒。

5.根据权利要求4所述碳化硅晶体棒的制备方法，其特征在于，所述惰性气体为氮气、氩气、氦气或氖气中的一种。

6.根据权利要求4所述碳化硅晶体棒的制备方法，其特征在于，所述等离子加热器的加热温度为2000-3000℃。