[发明专利]一种双图案掩膜及其制作方法、半导体器件、电子设备在审
| 申请号： | 202010566755.3 | 申请日： | 2020-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN113823553A | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 郭炳容;贺晓彬;丁明正;杨涛;李俊峰;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 何丽娜 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种双图案掩膜及其制作方法、半导体器件、电子设备，涉及半导体制作技术领域，实现了利用双重构图形成图案结构所具有的成本低的效果。该双图案掩膜的制作方法包括，提供衬底。在衬底上形成硬掩膜材料层。在硬掩膜材料层上形成掩膜材料层并进行图案化处理，形成沿第一方向延伸的第一方向掩膜图案。以第一方向掩膜图案为掩膜对硬掩膜材料层进行刻蚀，形成沿第一方向延伸的第一方向图案。在形成有第一方向图案的硬掩膜材料层上继续形成掩膜材料层并进行图案化处理，形成沿第二方向延伸的第二方向掩膜图案，第二方向与第一方向交叉。由交叉的第一方向图案和第二方向掩膜图案形成孔图案。本发明还提供双图案掩膜、半导体器件和电子设备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 图案 及其 制作方法 半导体器件 电子设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
