[发明专利]一种半导体器件及其制作方法

摘要

本申请公开了一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件包括衬底、形成于所述衬底上的堆叠层、在垂直于所述衬底的方向上贯穿所述堆叠层的栅极缝隙、以及形成于所述栅极缝隙内的阵列共源极；所述堆叠层包括多个交替堆叠的栅极导体层与层间绝缘层；所述阵列共源极包括位于所述栅极缝隙的侧壁和底部的源极导电层、位于所述栅极缝隙内且被所述源极导电层围绕的应力调节层、以及位于所述栅极缝隙内且位于所述应力调节层上并与所述源极导电层电连接的源极连接部。本申请采用成本较低且应力系数较小的材料制作应力调节层以填充阵列共源极，可以有效的控制器件制作成本和器件的内部应力。