[发明专利]一种旋转磁场制备高质量晶体的方法在审
| 申请号： | 202010557846.0 | 申请日： | 2020-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN111647946A | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 刘俊成;刘强;汪如卿;何国芳;韩银峰;张建平 | 申请（专利权）人： | 天津工业大学 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B30/04;C30B28/02;C30B11/00 |
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| 地址： | 300387 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用旋转磁场制备高质量锑铟镓晶体的方法。将高纯镓(Ga)、高纯铟(In)和高纯锑(Sb)按照一定的摩尔配比装入高纯石英坩埚内，经真空封管处理后置于多晶合成炉内预合成GaInSb多晶锭。将GaInSb多晶料置于具有五段独立加热控温装置的旋转磁场晶体生长炉内进行GaInSb晶体生长。制备的GaInSb晶体中In元素的偏析较小、分布较为均匀，晶体中位错等缺陷较少。本发明使用旋转磁场(RMF)‑移动加热器法(THM)制备GaInSb晶体，操作简单、成本较低，能有效抑制GaInSb晶体中In元素的偏析并且削减晶体中的位错，可用于制备高质量的GaInSb晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 旋转 磁场 制备 质量 晶体 方法 | ||
【主权项】：
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