[发明专利]掺杂氢的铟镓锌氧化物膜层、其制备方法及其应用、晶体管及其制备方法在审
申请号: | 202010549980.6 | 申请日: | 2020-06-16 |
公开(公告)号: | CN111628017A | 公开(公告)日: | 2020-09-04 |
发明(设计)人: | 黎年赐;邵龑;庞硕;何可;汪智伟;周长著;冯叶;杨春雷 | 申请(专利权)人: | 深圳先进技术研究院 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/113;H01L31/18 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰 |
地址: | 518055 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种掺杂氢的铟镓锌氧化物膜层、其制备方法及其应用、晶体管及其制备方法,普通的铟镓锌氧化物对可见光基本没有响应,本发明提供了一种掺杂氢的铟镓锌氧化物膜层,由于掺杂氢的铟镓锌氧化物的带隙小于或等于可见光的光子能量,因此能够对可见光产生良好响应。将这种掺杂氢的铟镓锌氧化物膜层应用于光电晶体管中,可以可满足可见光探测领域对铟镓锌氧化物型光电晶体管的实际需求,这类光电晶体管将在显示与成像、光通信、遥感、生物医疗等领域发挥重要作用。 | ||
搜索关键词: | 掺杂 铟镓锌 氧化物 制备 方法 及其 应用 晶体管 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的