[发明专利]掺杂氢的铟镓锌氧化物膜层、其制备方法及其应用、晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种掺杂氢的铟镓锌氧化物膜层的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在第一气体氛围下，采用镀膜工艺制备形成掺杂氢的铟镓锌氧化物膜层；其中，所述第一气体氛围包括氢气，所述掺杂氢的铟镓锌氧化物膜层的带隙宽度小于或等于可见光的光子能量。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一气体氛围还包括惰性气体，所述氢气与所述惰性气体的体积比小于或等于10:90。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述：在第一气体氛围下，采用镀膜工艺制备形成掺杂氢的铟镓锌氧化物膜层的步骤之后还包括如下步骤：对所述掺杂氢的铟镓锌氧化物膜层进行退火处理。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，对所述掺杂氢的铟镓锌氧化物膜层进行退火处理的步骤包括：在混合气体氛围中，对所述掺杂氢的铟镓锌氧化物膜层进行退火处理，所述混合气体包括氢气和惰性气体，所述氢气与所述惰性气体的体积比小于或等于10:90。

5.一种由权利要求1至4任一所述的制备方法制备得到的掺杂氢的铟镓锌氧化物膜层。

6.一种权利要求5所述的掺杂氢的铟镓锌氧化物膜层在半导体器件中的应用。

7.一种晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤制作栅电极层、栅介质层、掺杂氢的铟镓锌氧化物膜层、沟道层、源电极和漏电极的方法，其中，制作所述掺杂氢的铟镓锌氧化物膜层的方法为权利要求1至4任一项所述的制备方法。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，制作栅电极层、栅介质层、掺杂氢的铟镓锌氧化物膜层、沟道层、源电极和漏电极的方法，包括：

在衬底上形成所述栅电极层；

在所述栅电极层上形成所述栅介质层；

采用权利要求1至4任一项所述的掺杂氢的铟镓锌氧化物膜层的制备方法在所述栅介质层上形成所述掺杂氢的铟镓锌氧化物膜层；

在所述掺杂氢的铟镓锌氧化物膜层上形成所述沟道层；

在所述沟道层上形成间隔的所述源电极和所述漏电极。

9.一种由权利要求7或8所述的制作方法制作得到的晶体管。

10.一种晶体管，包括：栅电极层、栅介质层、沟道层、源电极和漏电极，其特征在于，所述晶体管还包括：设置在所述栅电极层、所述栅介质层、所述沟道层、所述源电极和所述漏电极中至少一个的上方或下方的光吸收层，其中，所述光吸收层的带隙宽度小于或等于可见光的光子能量。

11.根据权利要求10所述的晶体管，其特征在于，所述栅电极层设置于衬底上；

所述栅介质层设置于所述栅电极层上；

所述光吸收层设置在所述栅介质层上；

所述沟道层设置在所述光吸收层上；

所述源电极和所述漏电极设置于所述沟道层上，且所述源电极和所述漏电极彼此间隔开。

12.根据权利要求10或11所述的晶体管，其特征在于，所述光吸收层为权利要求5所述的掺杂氢的铟镓锌氧化物膜层。