[发明专利]一种硅片微缺陷测试方法在审
| 申请号： | 202010548251.9 | 申请日： | 2020-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN111781243A | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 周迎朝;由佰玲;邓春星;董楠;原宇乐;武卫;刘建伟;刘园;祝斌;刘姣龙;裴坤羽;孙晨光;王彦君;常雪岩;杨春雪;谢艳;袁祥龙;张宏杰;刘秒;吕莹;徐荣清 | 申请（专利权）人： | 天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | G01N25/72 | 分类号： | G01N25/72 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 300384 天津市滨海*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种硅片微缺陷测试方法，步骤包括：对硅片进行氧化处理，以使所述硅片内的缺陷成核并长大；再对氧化后的所述硅片进行解理，以获得半圆形所述硅片；在任一半圆形所述硅片抛光面上靠近直径边处一侧设置若干测试点，并对半圆形所述硅片上的所述测试点对应的位置进行微缺陷分析，即可获得一组所述测试点对应的所述微缺陷颗粒密度和洁净区宽度，所述微缺陷颗粒密度较大值对应的所述测试点的位置即为所述硅片氧沉淀富集区。发明设计的测试方法，在不影响硅片质量并使硅片可循环利用的情况下，可快速、精准地得出硅片内部微缺陷密度分布情况和洁净区宽度，可及时对拉晶生产过程中出现的微缺陷进行分析，以提高硅片质量、降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 缺陷 测试 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司，未经天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010548251.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种半导体圆硅片环状层错的测试方法
- 下一篇：便捷式压力可调升降柱
