[发明专利]具有掺杂的外延区域的半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010547786.4 | 申请日： | 2010-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN111883591A | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | A.S.默西;D.B.奥贝蒂内;T.加尼;A.J.派特 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 丁辰;姜冰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有掺杂的外延区域的半导体器件及其制造方法。本发明的实施例描述了半导体器件上的外延区域。在一个实施例中，通过循环的沉积‑蚀刻工艺来在衬底上沉积所述外延区域。用外延帽层来回填在循环的沉积‑蚀刻工艺期间在间隔体下方产生的空腔。所述外延区域和外延帽层改善了沟道区域的电子迁移率，减小了短沟道效应并降低了寄生电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 掺杂 外延 区域 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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