[发明专利]电容的制作方法在审
| 申请号： | 202010541238.0 | 申请日： | 2020-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN111613725A | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 刘俊文;陈华伦 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 罗雅文 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种电容的制作方法，涉及半导体制造领域。该方法包括在衬底上形成多晶硅层；刻蚀所述多晶硅层，形成多晶硅结构，所述多晶硅结构层包括电容的下极板；在所述多晶硅结构的两侧形成侧墙；依次沉积介质层和导电层；通过光刻工艺定义金属硅化物阻挡层图案和电容上极板图案；根据所述金属硅化物阻挡层图案和所述电容上极板图案，依次刻蚀所述导电层和所述介质层，形成金属硅化物阻挡层、所述电容的上极板和介质层；形成金属硅化物；解决了目前制作电容的制造成本高的问题；达到了优化集成电容的制作工艺，降低制造成本的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 制作方法 | ||
【主权项】：
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