[发明专利]一种TFT基板的连接孔制作方法及TFT基板在审
| 申请号： | 202010535656.9 | 申请日： | 2020-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN111710652A | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 张攀;陈飞;王金宝;程军;王磊 | 申请（专利权）人： | 信利（仁寿）高端显示科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L27/12 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 李健威 |
| 地址： | 620500 四川省眉山*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种TFT基板的连接孔制作方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底基板上依次制作栅图案层、栅绝缘层、硅岛图案层、源漏图案层和钝化层；步骤2：依次对所述钝化层和栅绝缘层进行刻蚀，以使所述钝化层形成连接孔，所述连接孔部分位于所述源漏图案层的漏极上方，以将所述漏极露出，部分位于所述漏极外围，以将位于所述漏极外围处的栅绝缘层露出，以及使所述栅绝缘层在所述漏极外围处形成有与所述连接孔连通的凹槽。该方法可在制作完所述TFT基板的连接孔后，避免后续制程中的环境水汽沉积而与漏极相接触，可防止漏极被水汽腐蚀。本发明还公开了一种TFT基板。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tft 连接 制作方法 基板 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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