[发明专利]用于生长碳化硅晶锭的粉末以及碳化硅晶锭的制备方法在审
| 申请号： | 202010531612.9 | 申请日： | 2020-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN112210824A | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 朴钟辉;甄明玉;高上基;具甲烈;金政圭;沈钟珉;张炳圭;崔正宇 | 申请（专利权）人： | SKC株式会社 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36;C23C14/06;C23C14/24 |
| 代理公司： | 成都超凡明远知识产权代理有限公司 51258 | 代理人： | 魏彦 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于生长碳化硅晶锭的粉末以及碳化硅晶锭的制备方法。所述碳化硅晶锭的制备方法包括准备步骤，将包含碳化硅颗粒的粉末装入反应容器中，并将籽晶放置在所述反应容器的一个表面，及生长步骤，使所述粉末升华以从所述籽晶生长碳化硅晶锭，所述粉末的流动指数为5到35。本发明的用于生长锭的粉末、使用其的晶锭的制备方法等可以提供抑制异质多型体的混入，以提供缺陷很少或基本上没有缺陷的优质碳化硅晶锭、及由其制成的晶片等。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 生长 碳化硅 粉末 以及 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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