[发明专利]一种三维存储器的制作方法有效
| 申请号： | 202010529351.7 | 申请日： | 2020-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN111785729B | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 艾义明;颜元 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 张晓薇 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种三维存储器的制作方法，包括：在衬底上形成堆栈结构，堆栈结构包括在垂直于衬底的方向上多层交替层叠设置的栅极牺牲层和绝缘层；形成至少穿过堆栈结构的沟道孔，以露出部分衬底；将氢离子经由沟道孔注入到位于沟道孔下的衬底上表面，以去除衬底上表面的杂质元素污染；以及，形成位于沟道孔底部的外延层，从而，通过预先去除衬底上表面的杂质元素污染，能够避免衬底上表面的杂质元素污染对外延层生长品质的影响，进而提高三维存储器的良率及可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 存储器 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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