[发明专利]高压半导体装置在审
| 申请号： | 202010525855.1 | 申请日： | 2020-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN113782604A | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 谭鸿志;刘兴潮;杨晓莹;廖志成 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 方艳平 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种高压半导体装置，包含基底、埋层、汲极区域、源极区域、闸极以及至少一浓度调变区。该基底具有第一导电类型，该埋层设置于该基底内并具有第二导电类型。该汲极区域与源极区域设置于该基底内并位于该埋层上方，而该闸极则设置在该基底上，位于该源极区域与该汲极区域之间。该至少一浓度调变区设置在局部的埋层内，并位于该汲极区域下方，其中，该至少一浓度调变区具有该第二导电类型，且该至少一浓度调变区的掺杂浓度小于该埋层的掺杂浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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