[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010510070.7 | 申请日： | 2020-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN111668186A | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 吕政;宋洵奕;王猛 | 申请（专利权）人： | 矽力杰半导体技术（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310051 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，包括：下金属层，所述下金属层包括第一区域和第二区域；位于所述下金属层的第一区域和第二区域上表面的层间介质层；从所述层间介质层上表面延伸至所述下金属层的通孔，所述通孔裸露所述下金属层的上表面；覆盖所述通孔的底部，侧壁以及所述层间介质层的上表面第一导电层；覆盖所述下金属层的第一区域上的所述第一导电层的介电层；填充所述通孔的第一金属；以及位于所述层间介质层的上表面上的上金属层，其中，在所述下金属层的第一区域上，所述上金属层与所述第一金属和所述介电层接触。本发明提供的半导体器件在不增加复杂程度的情况下，提高了电容的密度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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