[发明专利]一种集成TJBS的碳化硅UMOSFET器件有效
| 申请号： | 202010490801.6 | 申请日： | 2020-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN111755522B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 汤晓燕;余意;何艳静;袁昊;宋庆文;张玉明 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/16;H01L29/423 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 李园园 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种集成TJBS的碳化硅UMOSFET器件，包括：N+衬底区、N‑外延区、P‑阱区、N+注入区、第一P+注入区、第二P+注入区、栅极、源极和漏极，其中，第二P+注入区与第一P+注入区间隔设置且深度一致，第一P+注入区内设置有第一沟槽，第二P+注入区内设置有第二沟槽，栅极的深度大于P‑阱区的深度，小于第一P+注入区的深度，源极与P‑阱区、N+注入区、第一P+注入区、第二P+注入区的界面为欧姆接触，源极与N‑外延区的界面为肖特基接触。本发明的器件，在器件内集成的肖特基二极管结构中，引入沟槽结构，使得第一P+注入区和第二P+注入区的深度增加，在经过刻蚀形成的较薄的N‑外延区表面进行P+注入，使得P+注入区的深度更大，提升了器件的抗雪崩能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 tjbs 碳化硅 umosfet 器件 | ||
【主权项】：
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