[发明专利]用于高深宽比工艺的管路压力检调装置和检调方法在审
| 申请号： | 202010475563.1 | 申请日： | 2020-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN111668137A | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 付超群;许隽;金立培 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;G05D16/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体集成电路技术领域，具体涉及一种用于高深宽比工艺的管路压力检调装置和检调方法。其中检调装置包括前级管路，前级管路上设有气体入口；气流控制装置，气流控制装置包括控制管路，控制管路的进气端连接气源，控制管路的出气端连接气体入口；质量流量控制器，质量流量控制器设于靠近控制管路的进气端处，用于根据前级管路和反应腔之间的压力差，控制流经质量流量控制器的气体的质量流量。其中方法包括：获取前级管路和反应腔的压力信息；确定前级管路和反应腔之间的压力差；控制流经质量流量控制器的气体的质量流量；调整前级管路的压力从而控制前级管路和反应腔之间的压差。本申请能防止排放至前级管路的反应副产物倒灌至反应腔内。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 高深 工艺 管路 压力 装置 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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