[发明专利]用于高深宽比工艺的管路压力检调装置和检调方法

说明书

本申请涉及半导体集成电路技术领域，具体涉及一种用于高深宽比工艺的管路压力检调装置和检调方法。其中检调装置包括前级管路，前级管路上设有气体入口；气流控制装置，气流控制装置包括控制管路，控制管路的进气端连接气源，控制管路的出气端连接气体入口；质量流量控制器，质量流量控制器设于靠近控制管路的进气端处，用于根据前级管路和反应腔之间的压力差，控制流经质量流量控制器的气体的质量流量。其中方法包括：获取前级管路和反应腔的压力信息；确定前级管路和反应腔之间的压力差；控制流经质量流量控制器的气体的质量流量；调整前级管路的压力从而控制前级管路和反应腔之间的压差。本申请能防止排放至前级管路的反应副产物倒灌至反应腔内。

技术领域

本申请涉及半导体集成电路技术领域，具体涉及一种用于浅沟槽隔离结构高深宽比工艺的管路压力检调装置和检调方法。

背景技术

浅沟槽隔离工艺(Shallow Trench Isolation，STI)，通过利用氮化硅掩模并依次经过沉淀、图形化和刻蚀硅后形成浅沟槽，通过在该浅沟槽中填充淀积氧化物形成浅沟槽隔离结构。

随着高密度集成电路特征尺寸的不断减小，对通过浅沟槽隔离工艺形成的具有高宽深比的浅沟槽进行均匀、无空洞的填充淀积工艺显得至关重要。尤其在进入65纳米技术节点后，由于对浅沟槽深宽比的要求越来越高，STI技术面临更大的挑战。

相关技术通常采用高深宽比工艺(High Aspect Ratio Process，HARP)对具有高宽深比的浅沟槽进行填充淀积，以形成均匀、无空洞的浅沟槽隔离结构，但是在采用高深宽比工艺沉积氧化物后，在真空泵的作用下，反应腔中的压力快速升高，而前级管路中的压力保持不变，当前级管路中的压力大于反应腔中的压力时，就会使得从排放至前级管路中的反应副产物等倒灌至反应腔中，从而使得本应该从气体排放管路中排放出去的反应物倒灌至反应腔内，从而导致产品表面出现缺陷，影响产品的良率，甚至会使得产品出现报废的问题。

发明内容

本申请提供了一种用于浅沟槽隔离结构高深宽比工艺的管路压力检调装置和检调方法，可以解决相关技术中排放至前级管路的反应副产物倒灌至反应腔内，导致产品表面出现缺陷的问题。

一方面，本申请一种用于浅沟槽隔离结构高深宽比工艺的管路压力检调装置，所述管路压力检调装置包括：

前级管路，所述前级管路上设有调压气体入口；

气流控制装置，所述气流控制装置包括控制管路，所述控制管路的进气端连接气源，所述控制管路的出气端连接所述调压气体入口；

质量流量控制器，所述质量流量控制器设于靠近所述控制管路的进气端处，用于根据前级管路和反应腔之间的压力差，控制流经所述质量流量控制器的调压气体的质量流量。

可选地，靠近所述控制管路出气端处设有能够调节所述控制管路开度的针阀。

可选地，在所述控制管路上家设有气动阀。

可选地，所述气流控制装置安装在所述前级管路的外壁上。

可选地，还包括：

控制器；

反应腔压力传感器，所述反应腔压力传感器用于获取反应腔中的压力信息，并输出反应腔中的压力信息给所述控制器；

前级管路压力传感器，所述前级管路压力传感器用于获取前级管路中的压力信息，并输出前级管路中的压力信息给所述控制器；

所述控制器，能够根据所述反应腔中的压力信息和前级管路中的压力信息，判断前级管路和反应腔之间的压力差，并根据所述压力差向所述质量流量控制器发送控制信号。

可选地，所述质量流量控制器，能够根据所述控制器发送的控制信号，控制流经所述质量流量控制器的调压气体的质量流量。