[发明专利]用于高深宽比工艺的管路压力检调装置和检调方法在审
申请号: | 202010475563.1 | 申请日: | 2020-05-29 |
公开(公告)号: | CN111668137A | 公开(公告)日: | 2020-09-15 |
发明(设计)人: | 付超群;许隽;金立培 | 申请(专利权)人: | 华虹半导体(无锡)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;G05D16/20 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 214028 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 高深 工艺 管路 压力 装置 方法 | ||
1.一种用于浅沟槽隔离结构高深宽比工艺的管路压力检调装置,其特征在于,所述管路压力检调装置包括:
前级管路,所述前级管路上设有调压气体入口;
气流控制装置,所述气流控制装置包括控制管路,所述控制管路的进气端连接气源,所述控制管路的出气端连接所述调压气体入口;
质量流量控制器,所述质量流量控制器设于靠近所述控制管路的进气端处,用于根据前级管路和反应腔之间的压力差,控制流经所述质量流量控制器的调压气体的质量流量。
2.如权利要求1所述的用于浅沟槽隔离结构高深宽比工艺的管路压力检调装置,其特征在于,靠近所述控制管路出气端处设有能够调节所述控制管路开度的针阀。
3.如权利要求1所述的用于浅沟槽隔离结构高深宽比工艺的管路压力检调装置,其特征在于,在所述控制管路上家设有气动阀。
4.如权利要求1所述的用于浅沟槽隔离结构高深宽比工艺的管路压力检调装置,其特征在于,所述气流控制装置安装在所述前级管路的外壁上。
5.如权利要求1所述的用于浅沟槽隔离结构高深宽比工艺的管路压力检调装置,其特征在于,还包括:
控制器;
反应腔压力传感器,所述反应腔压力传感器用于获取反应腔中的压力信息,并输出反应腔中的压力信息给所述控制器;
前级管路压力传感器,所述前级管路压力传感器用于获取前级管路中的压力信息,并输出前级管路中的压力信息给所述控制器;
所述控制器,能够根据所述反应腔中的压力信息和前级管路中的压力信息,判断前级管路和反应腔之间的压力差,并根据所述压力差向所述质量流量控制器发送控制信号。
6.如权利要求5所述的用于浅沟槽隔离结构高深宽比工艺的管路压力检调装置,其特征在于,所述质量流量控制器,能够根据所述控制器发送的控制信号,控制流经所述质量流量控制器的调压气体的质量流量。
7.一种用于浅沟槽隔离结构高深宽比工艺的管路压力检调方法,其特征在于,所述管路压力检调方法采用如权利要求1~6中任一项所述的管路压力检调装置,所述管路压力检调方法至少包括以下步骤:
实时获取前级管路和反应腔的压力信息;
根据所述前级管路和反应腔的压力信息,确定所述前级管路和反应腔之间的压力差;
根据所述压力差控制流经所述质量流量控制器的调压气体的质量流量;
调整前级管路的压力至所述前级管路和反应腔之间的压力差达到预定阈值范围。
8.如权利要求7所述的用于浅沟槽隔离结构高深宽比工艺的管路压力检调方法,其特征在于,所述预定阈值范围为小于0。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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