[发明专利]一种采用化学气相沉积法制备碳化锆晶须的方法在审
| 申请号： | 202010470273.8 | 申请日： | 2020-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN111549378A | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 李贺军;李博;姚西媛;张雨雷;童明德 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B29/62;C30B25/00 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人： | 王鲜凯 |
| 地址： | 710072 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种采用化学气相沉积法制备碳化锆晶须的方法，利用化学气相沉积法工艺可控的优点，通过设置合适的温度、压力、前驱体输入量，搭配合适的气体流量比例，制备出形貌和尺寸优良的ZrC晶须。从所制备的形貌图3中可以看到，所得到的晶须形貌整齐，杆部为规则的四棱柱形，顶部有半球形的催化剂小液滴。晶须直径约为1～2μm，长度约为10～50μm。同时该方法借助气体绕镀性好的优势，所获得的ZrC晶须分布均匀，产量大。由图2可看出，所得的晶须生长密集，且均匀分布在碳碳基体的表面。同时，晶须制备所需温度低，便于生产制造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 化学 沉积 法制 碳化 锆晶须 方法 | ||
【主权项】：
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