[发明专利]一种法拉第屏蔽装置、等离子体刻蚀系统及其使用方法在审
| 申请号： | 202010469381.3 | 申请日： | 2020-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN113745084A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 郭颂;刘海洋;王铖熠;程实然;刘小波;张军;胡冬冬;许开东 | 申请（专利权）人： | 北京鲁汶半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01J37/02;H01J37/305;H01L21/67;H05B1/02 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 肖鹏 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种法拉第屏蔽装置、等离子体刻蚀系统及其使用方法，法拉第屏蔽装置包括法拉第屏蔽板和贴置在法拉第屏蔽板下端面的电阻丝；法拉第屏蔽板包括导电环和多个辐射对称连接在导电环外周的导电瓣状件；电阻丝的外表面设置有绝缘导热层；刻蚀工艺时，电阻丝通电加热。本发明当刻蚀工艺时，导通加热电路与电阻丝，使电阻丝通电温度升高，加热介质窗，减少产物的沉积量；由于电阻丝与介质窗直接接触，加热效率高，热量散失少，简化了设备结构；法拉第屏蔽板位于射频线圈与电阻丝之间形成屏蔽，可防止射频线圈与电阻丝之间产生耦合及放电；加热电源的输出端经滤波电路单元滤波后，连接至电阻丝，有效防止射频线圈与电阻丝之间产生耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 法拉第 屏蔽 装置 等离子体 刻蚀 系统 及其 使用方法 | ||
【主权项】：
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