[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010466800.8 | 申请日： | 2014-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN111640792A | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 陈圣文;施侑伸;罗加聘;林彦华;谭伦光;林钰庭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/78;H01L21/285;H01L21/324;H01L21/768;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括具有源极/漏极区的晶体管。导电接触件设置在源极/漏极区上方。硅化物元件设置在导电接触件下方。硅化物元件具有无角的截面轮廓。在一些实施例中，硅化物元件可具有近似弧形的截面轮廓，例如，类椭圆形的轮廓。通过注入工艺在源极/漏极区中形成非晶硅区来至少部分地形成硅化物元件。注入工艺可以是冷注入工艺。本发明还提供了具有无角轮廓的接触件硅化物。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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