[发明专利]一种碳化硅MOSFET桥臂串扰抑制电路

摘要

本发明属于电力电子器件的驱动技术领域，具体提供一种碳化硅MOSFET桥臂串扰抑制电路，所述桥臂串扰抑制电路连接于主电路中碳化硅MOSFET的栅极、源极之间，包括：驱动信号放大电路、负压产生电路和RC电位延迟电路其中，所述负压产生电路用于产生负电压、以防止主电路中碳化硅MOSFET误导通，所述RC电位延迟电路用于抬升主电路中碳化硅MOSFET的栅极与源极之间的负向关断电压，以防止主电路中碳化硅MOSFET反向击穿。本发明利用无源器件实现负压关断，并防止因桥臂正向串扰导致开关管的误导通；同时利用RC电位延迟电路实现多电平驱动控制信号的功能，防止因桥臂负向串扰导致开关管的栅源极击穿。