[发明专利]三维半导体装置

摘要

公开了一种三维半导体装置。所述三维半导体装置可以包括在第一方向上彼此分离的第一堆叠件和第二堆叠件，堆叠件中的每个包括垂直堆叠在基底上的电极。所述三维半导体装置还可以包括：垂直沟道结构，穿透电极并且连接到基底；层间绝缘层，位于垂直沟道结构的顶表面上；以及支撑图案，位于第一堆叠件与第二堆叠件的相对侧壁之间并且位于层间绝缘层中。支撑图案的底表面可以定位在比电极中的最上面的电极的顶表面的水平高的水平处。