[发明专利]IC封装射频结构和IC封装射频结构制作方法有效

专利信息
申请号: 202010444400.7 申请日: 2020-05-22
公开(公告)号: CN111585003B 公开(公告)日: 2022-02-01
发明(设计)人: 包宇君;何正鸿 申请(专利权)人: 甬矽电子(宁波)股份有限公司
主分类号: H01Q1/22 分类号: H01Q1/22;H01Q23/00
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 李莎
地址: 315400 浙江省宁*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 本申请的实施例提供了一种IC封装射频结构和IC封装射频结构制作方法,涉及射频天线结构技术领域,IC封装射频结构包括基板、芯片、发射天线和反馈天线,所述基板内设置有一腔体;所述发射天线设置在所述基板的一侧;所述反馈天线设置在所述基板远离所述发射天线的一侧;所述芯片设置在所述腔体内且远离所述发射天线的一侧,所述芯片分别与所述发射天线和所述反馈天线电连接;通过反馈天线接收反馈信号并传输给所述芯片,能够使所述芯片根据所述反馈信号调整通过所述发射天线发射的发射信号,提高IC封装射频结构的性能。
搜索关键词: ic 封装 射频 结构 制作方法
【主权项】:
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