[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202010442434.2 | 申请日： | 2020-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN112582481A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 渡边敬吏 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/866 | 分类号： | H01L29/866;H01L29/868;H01L21/329;H01L27/08 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 龚诗靖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种能够实现优异的电学特性的半导体装置。本发明提供一种二极管芯片(1)(半导体装置)，包含：半导体芯片(10)，包含p型的第1半导体层(14)、及形成在第1半导体层(14)之上的n型的第2半导体层(15)；第1焊垫分离沟槽(277)，以贯通第2半导体层(15)，到达第1半导体层(14)的方式，形成在半导体芯片(10)，通过将半导体芯片(10)的一部分与其他区域加以区隔，而在第1半导体层(14)与第2半导体层(15)之间形成第1内部寄生电容(C1)；中间绝缘层(91)，被覆第2半导体层(15)；及第1电极层(101)，隔着中间绝缘层(91)对向于通过第1焊垫分离沟槽(277)而区隔出的区域，在与半导体芯片(10)之间形成串联连接于第1内部寄生电容(C1)的第1外部寄生电容(CO1)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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