[发明专利]制作半导体器件的方法、半导体器件和半导体集成电路有效
| 申请号： | 202010440338.4 | 申请日： | 2020-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN111562687B | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 朱继光;何来胜 | 申请（专利权）人： | 联合微电子中心有限责任公司 |
| 主分类号： | G02F1/035 | 分类号： | G02F1/035 |
| 代理公司： | 北京市汉坤律师事务所 11602 | 代理人： | 初媛媛;吴丽丽 |
| 地址： | 401332 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 公开了一种制作半导体器件的方法、半导体器件和半导体集成电路。所述方法包括：提供绝缘体上半导体衬底，所述绝缘体上半导体衬底包括第一衬底、第一绝缘层以及半导体层；对所述半导体层进行图案化以形成光波导；在所述半导体层背离所述第一绝缘层的一侧形成彼此堆叠的至少一个功能层，包括：在所述半导体层的背离所述第一绝缘层一侧形成第二绝缘层；将所述至少一个功能层与载体衬底进行键合；完全移除所述第一衬底；以及在所述第一绝缘层的背离所述第二绝缘层的一侧形成第一热调电阻，所述第一热调电阻在所述第一绝缘层上的正交投影与所述光波导在所述第一绝缘层上的正交投影至少部分地重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 半导体器件 方法 半导体 集成电路 | ||
【主权项】：
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