[发明专利]制作半导体器件的方法、半导体器件和半导体集成电路

摘要

公开了一种制作半导体器件的方法、半导体器件和半导体集成电路。该方法包括：提供绝缘体上半导体衬底，所述绝缘体上半导体衬底包括第一衬底、第一绝缘层以及半导体层；对所述半导体层进行图案化以形成光栅耦合器；在所述半导体层背离所述第一绝缘层的一侧形成彼此堆叠的至少一个功能层，包括：形成第二绝缘层；以及在所述第二绝缘层的背离所述第一绝缘层一侧形成图案化导电层，其中所述图案化导电层包括反射性图案部分，并且所述光栅耦合器在所述第二绝缘层的上的正交投影位于所述反射性图案部分在所述第二绝缘层的上的正交投影内；将所述至少一个功能层与载体衬底进行键合；以及完全移除所述第一衬底。