[发明专利]一种具低反向恢复电荷的双沟道超结VDMOS器件及制造方法有效
| 申请号： | 202010439394.6 | 申请日： | 2020-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN111769158B | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 成建兵;陈明;李浩铮 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/06;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 苏虹 |
| 地址： | 210000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具低反向恢复电荷的双沟道超结VDMOS器件及制造方法，分别在栅电极区和JFET区上方建立源电极，JFET上方依次新建立N‑pillar区、P‑body区和N+源区，使得器件的栅电极被分成多区域，新加入的区、源极和栅极将整个栅极分离，形成了一个分离栅极，增加了一个源电极。本发明在保持超结VDMOS击穿电压和开态电流处理能力的同时，降低了体内寄生二极管的储存电荷，提高了器件的反向恢复特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 反向 恢复 电荷 沟道 vdmos 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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