[发明专利]三维存储器的制作方法

摘要

本发明提供了一种三维存储器的制作方法。该方法在形成牺牲层的工艺中，顶层牺牲层对底层牺牲层具有第一刻蚀选择比A，顶层牺牲层对中间牺牲层具有第二刻蚀选择比B，其中，A≤B≤1，且A≠1，从而通过在牺牲层的沉积阶段通过改变材料组分，在湿法刻蚀去除上述牺牲层的工艺中改变了牺牲层的刻蚀速率，使位于下层的牺牲层相比于上层的牺牲层的刻蚀速率更大，上述刻蚀速率的差异能够平衡工艺中刻蚀负载效应而导致的下层牺牲层与上层牺牲层的刻蚀速率的差异，降低了与上层牺牲层接触的部分电荷阻挡层受到的损伤，有效解决了电荷阻挡层在上下位置损伤不均的问题，提高了电荷阻挡层在上下位置的台阶覆盖能力。