[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202010434781.0 | 申请日： | 2020-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN111987162A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 梁正吉;宋昇珉;郑秀真;裵东一;徐凤锡 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 具有环栅结构的半导体器件包括：由第一沟槽分隔并在第一方向上延伸的第一鳍图案和第二鳍图案；在第一鳍图案上的第一纳米片；在第二鳍图案上的第二纳米片；第一鳍衬层，沿着第一沟槽的底表面和侧壁的至少一部分延伸；第一场绝缘层，设置在第一鳍衬层上并填充第一沟槽的一部分；以及第一栅极结构，与第一鳍图案的端部交叠并包括第一栅极间隔物。从第一沟槽的底表面到第一栅极间隔物的下表面的高度大于从第一沟槽的底表面到第一场绝缘层的上表面的高度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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