[发明专利]一种纳米线离子栅控突触晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 202010430790.2 | 申请日： | 2020-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN111564489B | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 黎明;李小康;于博成;杨远程;黄如 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米线离子栅控突触晶体管及其制备方法，属于面向神经网络硬件化应用的突触器件领域。本发明结合了围栅纳米线良好的一维输运特性和离子栅控双电层体系中低操作电压的优势，与现有的基于二维材料或者有机材料的平面大尺寸突触晶体管相比，能够实现更低的功耗和更小的面积开销。另外，其优良的器件一致性和CMOS后端集成特性，使得其有潜力运用到未来大规模神经形态计算电路中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 离子 突触 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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