[发明专利]一种低压多功能电荷俘获型突触晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 202010430132.3 | 申请日： | 2020-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN111564499B | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 黎明;李小康;涂坤;黄如 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L29/10;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低压多功能电荷俘获型突触晶体管及其制备方法，属于面向神经网络硬件化应用的突触器件领域。本发明采用氮化硅和氧化铪双俘获层结构来在单一器件上同时实现短长时程突触可塑性，从而丰富了突触器件的功能；三栅纳米线结构有利于增强界面电场，从而降低了界面处FN隧穿宽度，增强了界面处隧穿几率，降低了操作电压和器件功耗。另外，器件具有完全的CMOS材料以及工艺兼容性，这些优良的器件特性使得其有潜力应用到未来大规模神经网络计算系统中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低压 多功能 电荷 俘获 突触 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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