[发明专利]发光装置在审
申请号: | 202010411352.1 | 申请日: | 2020-05-15 |
公开(公告)号: | CN113497079A | 公开(公告)日: | 2021-10-12 |
发明(设计)人: | 陈俊荣;陈煜东 | 申请(专利权)人: | 恒颢科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/62 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 朱颖;刘芳 |
地址: | 中国台湾新竹县湖*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种发光装置,包括玻璃称底、第一电路图案层、第一图案化绝缘层、第二电路图案层以及多个发光元件。玻璃称底具有上表面。第一电路图案层设置于上表面上。第一图案化绝缘层设置于上表面上。第一图案化绝缘层部分地覆盖第一电路图案层上。第二电路图案层设置于上表面上。第二电路图案层的部分重叠第一电路图案层。发光元件电性连接第一电路图案层及第二电路图案层。第二电路图案层重叠第一电路图案层的部分夹设有第一图案化绝缘层的部分。第一电路图案层具有第一电压。第二电路图案层具有第二电压。第一电压与第二电压不同。 | ||
搜索关键词: | 发光 装置 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的