[发明专利]发光装置在审
申请号: | 202010411352.1 | 申请日: | 2020-05-15 |
公开(公告)号: | CN113497079A | 公开(公告)日: | 2021-10-12 |
发明(设计)人: | 陈俊荣;陈煜东 | 申请(专利权)人: | 恒颢科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/62 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 朱颖;刘芳 |
地址: | 中国台湾新竹县湖*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 | ||
本发明提供一种发光装置,包括玻璃称底、第一电路图案层、第一图案化绝缘层、第二电路图案层以及多个发光元件。玻璃称底具有上表面。第一电路图案层设置于上表面上。第一图案化绝缘层设置于上表面上。第一图案化绝缘层部分地覆盖第一电路图案层上。第二电路图案层设置于上表面上。第二电路图案层的部分重叠第一电路图案层。发光元件电性连接第一电路图案层及第二电路图案层。第二电路图案层重叠第一电路图案层的部分夹设有第一图案化绝缘层的部分。第一电路图案层具有第一电压。第二电路图案层具有第二电压。第一电压与第二电压不同。
技术领域
本发明涉及一种发光装置,尤其涉及一种适用于玻璃称底的发光装置。
背景技术
随着发光二极管(light-emitting diode,LED)晶粒的发光效率的提升及生产技术的进步,LED晶粒已逐渐成为照明及显示领域的主流。举例来说,次毫米发光二极管显示装置(Mini LED Display)与微型发光二极管显示装置(Micro LED Display)逐渐吸引各科技大厂的投资目光。次毫米或微型发光二极管显示装置具有高色彩饱和度、应答速度快及高对比,且具有低耗能及材料使用寿命长的优势。
不过,目前进行晶粒转置的印刷电路板(printed circuit board,PCB)的平整度不高,除了难满足大面积转移的需求,更无法制作精细的电路图案。此外,以高密度设置的LED晶粒在作动时会产生大量的热能。因此,亟需散热佳且能制作高精细线路的电路称底。
发明内容
本发明是针对一种发光装置,其具有精细的电路图案以及优良的散热效果。
根据本发明的实施例,发光装置包括玻璃称底、第一电路图案层、第一图案化绝缘层、第二电路图案层以及多个发光元件。玻璃称底具有上表面。第一电路图案层设置于玻璃称底的上表面上。第一图案化绝缘层设置于上表面上,且第一图案化绝缘层部分地覆盖第一电路图案层上。第二电路图案层设置于上表面上,且第二电路图案层的部分重叠第一电路图案层。发光元件分别电性连接第一电路图案层及第二电路图案层。第二电路图案层重叠第一电路图案层的部分夹设有第一图案化绝缘层的部分。第一电路图案层具有第一电压。第二电路图案层具有第二电压。第一电压与第二电压不同。
在根据本发明的实施例的发光装置中,上述的第一电路图案层包括第一主体部以及连接第一主体部的多个第一电极部。第二电路图案层包括多条电路线。这些电路线的至少一者包括第二主体部以及连接第二主体部的第二电极部。
在根据本发明的实施例的发光装置中,上述的第一主体部与第二主体部在不同水平高度上部分重叠。第一主体部沿着第一方向延伸。第二主体部沿着第二方向延伸。第一方向垂直于第二方向。
在根据本发明的实施例的发光装置中,上述的第一图案化绝缘层包括多个第一开口。这些地一开口分别重叠并暴露第一电极部。
在根据本发明的实施例的发光装置中,上述的第二电路图案层不重叠这些第一开口。
在根据本发明的实施例的发光装置中,上述的发光装置还包括第二图案化绝缘层设置于第二电路图案层上。第二图案化绝缘层包括多个第二开口。这些第二开口的其中一者重叠并暴露第二电极部。
在根据本发明的实施例的发光装置中,上述的第二图案化绝缘层还包括多个第三开口。这些第三开口对应重叠这些第一开口。
在根据本发明的实施例的发光装置中,上述的第一电路图案层包括至少一第一电极部。第二电路图案层包括多个第二电极部以及连接这些第二电极部的多个桥接部。第一电极部与第二电极部共平面。第一电极部的延伸方向沿着第一方向延伸。这些第二电极部的连接方向沿着第二方向延伸。第一方向垂直于第二方向。
在根据本发明的实施例的发光装置中,上述的这些桥接部的任一者电性连接这些第二电极部的相邻任两者。桥接部对应地重叠第一图案化绝缘层的部分以对应地横跨这些第一电极部的任一者。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的