[发明专利]发光装置在审
申请号: | 202010411352.1 | 申请日: | 2020-05-15 |
公开(公告)号: | CN113497079A | 公开(公告)日: | 2021-10-12 |
发明(设计)人: | 陈俊荣;陈煜东 | 申请(专利权)人: | 恒颢科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/62 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 朱颖;刘芳 |
地址: | 中国台湾新竹县湖*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 | ||
1.一种发光装置,其特征在于,包括:
玻璃称底,具有上表面;
第一电路图案层设置于所述玻璃称底的所述上表面上;
第一图案化绝缘层设置于所述上表面上,且所述第一图案化绝缘层部分地覆盖所述第一电路图案层上;
第二电路图案层设置于所述上表面上,且所述第二电路图案层的部分重叠所述第一电路图案层;以及
多个发光元件分别电性连接所述第一电路图案层及所述第二电路图案层,
其中所述第二电路图案层重叠所述第一电路图案层的部分夹设有所述第一图案化绝缘层的部分;
其中所述第一电路图案层具有第一电压,所述第二电路图案层具有第二电压,且所述第一电压与所述第二电压不同。
2.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,所述第一电路图案层包括第一主体部以及连接所述第一主体部的多个第一电极部,所述第二电路图案层包括多条电路线,所述多条电路线的至少一者包括第二主体部以及连接所述第二主体部的第二电极部。
3.根据权利要求2所述的发光装置,其特征在于,所述第一主体部与所述第二主体部在不同水平高度上部分重叠,且所述第一主体部沿着第一方向延伸,所述第二主体部沿着第二方向延伸,其中所述第一方向垂直于所述第二方向。
4.根据权利要求2所述的发光装置,其特征在于,所述第一图案化绝缘层包括多个第一开口,且所述多个第一开口分别重叠并暴露所述多个第一电极部。
5.根据权利要求4所述的发光装置,其特征在于,所述第二电路图案层不重叠所述多个第一开口。
6.根据权利要求4所述的发光装置,其特征在于,所述发光装置还包括第二图案化绝缘层设置于所述第二电路图案层上,其中所述第二图案化绝缘层包括多个第二开口,且所述多个第二开口的其中一者重叠并暴露所述第二电极部。
7.根据权利要求6所述的发光装置,其特征在于,其中所述第二图案化绝缘层还包括多个第三开口,且所述多个第三开口对应重叠所述多个第一开口。
8.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,所述第一电路图案层包括至少一第一电极部,所述第二电路图案层包括多个第二电极部以及连接所述多个第二电极部的多个桥接部,其中所述至少一第一电极部与所述多个第二电极部共平面,所述至少一第一电极部的延伸方向沿着第一方向延伸,且所述多个第二电极部的连接方向沿着第二方向延伸,其中所述第一方向垂直于所述第二方向。
9.根据权利要求8所述的发光装置,其特征在于,所述多个桥接部的任一者电性连接所述多个第二电极部的相邻任两者,且所述桥接部对应地重叠所述第一图案化绝缘层的部分以对应地横跨所述多个第一电极部的任一者。
10.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,所述玻璃称底包括选自钠钙硅酸盐玻璃称底、铝硅酸盐玻璃称底、硼硅酸盐玻璃称底、铅硅酸盐玻璃称底及蓝宝石称底的群组中的一者。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的