[发明专利]一种用于单层过渡金属硫族化合物的通用掺杂方法

摘要

本发明公布了一种针对单层过渡金属硫族化合物的通用掺杂方法。该方法利用熔盐辅助的化学气相沉积技术，选取卤化金属盐与金属氧化物的混合物作为掺杂前驱体，其中卤化金属盐能够大大降低金属氧化物前驱体的熔点，使得金属前驱体的挥发与单层过渡金属硫族化合物的生长过程相匹配，以有利于掺杂过程的进行。通过简单改变掺杂前驱体的种类和质量，就能实现不同过渡金属元素的掺杂以及掺杂含量的调控。对制备得到的单层掺杂型过渡金属硫族化合物进行一系列的表征发现，掺杂之后单层过渡金属硫族化合物的电子、声子状态及能带结构发生了显著的变化。本发明为单层过渡金属硫族化合物的性质调控提供了一种简单、通用的方法，具有广阔的应用前景。