[发明专利]一种窄带红外探测器及其制作方法在审
| 申请号： | 202010332328.9 | 申请日： | 2020-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN111430496A | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 缪中林;孟祥建;陈效双 | 申请（专利权）人： | 魔童智能科技（扬州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/09 | 分类号： | H01L31/09;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 罗超 |
| 地址： | 225000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了光电探测技术领域内的一种窄带红外探测器，包括：绝缘衬底；金属下电极，设置于绝缘衬底上方；铁电功能层，设置于金属下电极上方；金属上电极，设置于铁电功能层上方；等离激元结构，设置于金属上电极上方，等离激元结构为由多个金属方块构成的点阵。该窄带红外探测器无需与棱镜或窄带滤光片组合，仅调节金属方块点阵结构参数即可实现对特定红外光的选择性吸收与感知，结构简单，成本低，稳定性高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 窄带 红外探测器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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