[发明专利]存储器元件有效
| 申请号： | 202010288563.0 | 申请日： | 2020-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN113497126B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 丁榕泉 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H10B41/40 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王文思 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储器元件，其包括衬底、叠层结构、隔离结构、栅间介电层、控制栅极、第一绝缘结构、第一栅介电层以及第一栅极。叠层结构设置于衬底上。隔离结构设置于衬底中与叠层结构的两侧。栅间介电层覆盖叠层结构与隔离结构。控制栅极覆盖栅间介电层。第一绝缘结构设置于衬底中，其中第一绝缘结构的顶表面低于衬底的顶表面而暴露出部分的衬底的侧表面。第一栅介电层设置于衬底的顶表面与衬底的侧表面上。第一栅极覆盖第一栅介电层。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 元件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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