[发明专利]存储器元件

权利要求书

1.一种存储器元件，包括：

衬底，具有第一区与第二区，其中所述第二区邻近所述第一区；

叠层结构，位于所述第一区中且设置于所述衬底上，其中所述叠层结构包括隧穿介电层以及浮置栅极，且所述隧穿介电层位于所述浮置栅极与所述衬底之间；

隔离结构，位于所述第一区中且设置于所述衬底中与所述叠层结构的两侧；

栅间介电层，位于所述第一区中且覆盖所述叠层结构与所述隔离结构；

控制栅极，位于所述第一区中且覆盖所述栅间介电层；

第一绝缘结构，位于所述第二区中且设置于所述衬底中，其中所述第一绝缘结构的顶表面低于所述衬底的顶表面而暴露出部分的所述衬底的侧表面；

第一栅介电层，位于所述第二区中且设置于所述衬底的所述顶表面与所述衬底的所述侧表面上，且所述第一栅介电层的顶表面低于所述栅间介电层的顶表面；以及

第一栅极，位于所述第二区中且覆盖所述第一栅介电层。

2.根据权利要求1所述的存储器元件，其中所述隔离结构的顶表面低于所述叠层结构的顶表面。

3.根据权利要求1所述的存储器元件，其中所述栅间介电层包括复合层，所述复合层包括氧化硅层与氮化硅层。

4.根据权利要求1所述的存储器元件，其中所述第一栅介电层位于所述第二区中的所述衬底的所述侧表面的凹陷上。

5.根据权利要求1所述的存储器元件，其中所述控制栅极的材料与所述第一栅极的材料包括多晶硅或金属。

6.根据权利要求1所述的存储器元件，其中所述第一栅介电层的材料包括SiO₂、HfO₂或ZrO₂。

7.根据权利要求1所述的存储器元件，其更包括：

第二栅介电层，位于所述第二区中且设置于所述衬底上，其中所述第二栅介电层的顶表面低于所述栅间介电层的顶表面；以及

第二栅极，位于所述第二区中且覆盖所述第二栅介电层。

8.根据权利要求7所述的存储器元件，其中邻近于所述第二栅极的第二绝缘结构的顶表面高于所述衬底的所述顶表面。

9.一种存储器元件，包括：

衬底，具有第一区与第二区，其中所述第二区邻近所述第一区；

叠层结构，位于所述第一区中且设置于所述衬底上，其中所述叠层结构包括隧穿介电层以及浮置栅极，且所述隧穿介电层位于所述浮置栅极与所述衬底之间；

隔离结构，位于所述第一区中且设置于所述衬底中与所述叠层结构的两侧，其中所述隔离结构的顶表面低于所述叠层结构的顶表面；

栅间介电层，位于所述第一区中且覆盖所述叠层结构与所述隔离结构；

控制栅极，位于所述第一区中且覆盖所述栅间介电层；

第一绝缘结构，位于所述第二区中且设置于所述衬底中，其中所述第一绝缘结构的顶表面低于所述衬底的顶表面，且所述衬底的部分侧表面具有位于所述第一绝缘结构的所述顶表面上方的凹陷；

第一栅介电层，位于所述第二区中且设置于所述衬底的所述顶表面与所述衬底的所述凹陷上；以及

第一栅极，位于所述第二区中且覆盖所述第一栅介电层。

10.根据权利要求9所述的存储器元件，其中所述第一栅介电层的顶表面低于所述栅间介电层的顶表面。