[发明专利]一种高精度硅基掩模版及其加工方法在审
| 申请号： | 202010279272.5 | 申请日： | 2020-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN113512697A | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 魏钰;周成刚;王秀霞;何逸昭;孙剑 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | C23C14/04 | 分类号： | C23C14/04;C23C14/24;C23C16/34;C23C16/40;C23C16/44;C23C16/50;C23C16/56 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 豆贝贝 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高精度硅基掩模版及其加工方法。本发明采用SOI片作为基底，SOI片中间的氧化硅层既可以作为正面深硅刻蚀的截止层，又可以作为背面开窗湿法刻蚀的截止层，可以在背面湿法刻蚀时保护正面的精细图形，有效防止刻蚀液从背面破坏正面的图形；同时采用先干刻正面图形再湿刻开窗的工艺顺序，可以提高正面深硅刻蚀的均匀性，硅片不同区域的刻蚀深度的偏差在5％以内。另外，该方法制备的硅基掩模版的最小线宽为2微米，镂空部分最薄为20微米，机械强度高，可重复利用，图形可定制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高精度 硅基掩 模版 及其 加工 方法 | ||
【主权项】：
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