[发明专利]一种高精度硅基掩模版及其加工方法

权利要求书

1.一种高精度硅基掩模版的加工方法，包括以下步骤：

以SOI片为基底，在所述SOI片的正面干法刻蚀图形，再在所述SOI片基底的背面湿法刻蚀，得到高精度硅基掩模版。

2.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述SOI片的正面干法刻蚀图形具体包括：

11)提供SOI片基底；

21)在SOI片基底的正面和背面沉积氮化硅薄膜；

31)在正面氮化硅薄膜上沉积氧化硅薄膜；

41)进行光刻显影，将需要镂空的区域的光刻胶显掉；

51)在SOI片正面进行干法刻蚀，对SOI片正面的氮化硅和氧化硅双层进行图案化，将需要镂空的区域的氮化硅和氧化硅刻蚀掉，直到刻到SOI正面的硅层表面；

61)继续在步骤51)的基础上将需要镂空的区域的硅层刻穿，直到刻到SOI片的氧化硅层。

3.根据权利要求2所述的加工方法，其特征在于，所述SOI片基底的背面湿法刻蚀具体包括：

12)在SOI片基底背面氮化硅薄膜上光刻显影，对光刻胶图形化，光刻时保证正面图形落在背面图形窗口内；

22)采用干法刻蚀，对SOI片背面的氮化硅图形化，将背面图形窗口区域中的氮化硅刻掉，刻到SOI片背面硅层的表面；

32)去胶，清洗；

42)采用等离子增强化学气相沉积法在SOI片正面依次沉积氧化硅和氮化硅薄膜；再涂布黑蜡保护层；将得到的产品放入碱性硅刻蚀液中，对背面的图形窗口区域的硅层进行刻蚀。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述步骤42)后还包括：

52)去除黑蜡保护层后放入酸性刻蚀液中，将SOI片基底中间的氧化硅层、步骤21)沉积的SOI正面和背面的氮化硅、步骤31)沉积的SOI正面的氧化硅及步骤42)沉积的氧化硅和氮化硅全部刻蚀完，得到高精度硅基掩模版。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述SOI片基底从正面到背面依次包括正面硅层、中间氧化硅层和背面硅层；

所述正面硅层的厚度为1～100微米。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤21)中沉积氮化硅薄膜采用低压化学气相沉积法或高压化学气相沉积或等离子体增强化学气相沉积；

所述步骤21)中氮化硅薄膜的厚度为1nm～1000nm。

7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤31)中沉积氧化硅薄膜采用等离子体增强化学气相沉积法或干氧法或湿氧法或高气压化学气相沉积法；

所述步骤31)中沉积的氧化硅薄膜的厚度为100～10000nm。

8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述酸性刻蚀液选自氢氟酸或BOE溶液。

9.一种高精度硅基掩模版，由权利要求1～8任一项所述方法制得。

10.根据权利要求9所述的高精度硅基掩模版，其特征在于，所述掩模版的最小线宽为2微米，镂空部分最薄为20微米。