[发明专利]一种半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202010260602.6 | 申请日： | 2020-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN113496939A | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 许超奇;陈淑娴;林峰;马春霞 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/768;H01L23/48;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括:提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有阱区，所述半导体衬底上形成有掩膜层；蚀刻所述掩膜层和所述半导体衬底，以形成环绕所述阱区的凹槽；在所述凹槽的侧壁形成介质层；在所述凹槽底部的半导体衬底中形成注入区；在所述凹槽内填充导电材料，以在所述半导体衬底中形成由所述介质层和所述导电材料组成的隔离结构。根据本发明提供的半导体器件及其制作方法，通过在所述凹槽的侧壁形成介质层，并在凹槽内填充导电材料，以形成隔离结构，以得到较好的深凹槽填充效果，同时利用隔离结构将衬底电极引出至衬底表面，减小了半导体器件的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
