[发明专利]测试电路及半导体测试方法有效
| 申请号： | 202010259653.7 | 申请日： | 2020-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN113495203B | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 刘志拯 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 赵潇君 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种测试电路，包括：M个测试单元，测试单元具有第一端和第二端，M个测试单元的第一端均连接到电源线，M个测试单元的第二端均连接到地线，M为正整数；测试单元包括TDDB测试元件、开关和控制电路；TDDB测试元件被击穿之前具有第一等效电阻，TDDB测试元件被击穿之后具有第二等效电阻，第一等效电阻大于第二等效电阻。各TDDB测试元同时在同一电压下进行测试，一旦其中的某一个TDDB测试单元被击穿，控制电路和开关会将该TDDB测试单元所在的支路断路，避免短路的出现，从而不影响其他TDDB测试单元的后续继续测试，使得多个TDDB测试单元能够同时进行检测，大大缩短了测试时间。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 电路 半导体 方法 | ||
【主权项】：
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