[发明专利]测试电路及半导体测试方法

权利要求书

1.一种测试电路，其特征在于，包括：

M个测试单元，所述测试单元具有第一端和第二端，所述M个测试单元的第一端均连接到电源线，所述M个测试单元的第二端均连接到地线，所述M为正整数；

所述测试单元包括TDDB测试元件、开关和控制电路，其中，所述TDDB测试元件的第一端为所述测试单元的第一端，所述TDDB测试元件的第二端连接到所述开关的第一端，所述开关的第二端为所述测试单元的第二端，所述开关的第一端通过所述控制电路连接到所述开关的控制端；

所述TDDB测试元件被击穿之前具有第一等效电阻，所述TDDB测试元件被击穿之后具有第二等效电阻，所述第一等效电阻大于所述第二等效电阻；

所述开关包括NMOS管，所述NMOS管的漏极与所述TDDB测试元件的第二端电连接，所述NMOS管的源极接地；所述控制电路包括反相器，所述反相器的输入与所述TDDB测试元件的第二端电连接，另一端与所述NMOS管的栅极电连接。

2.根据权利要求1所述的测试电路，其特征在于，所述TDDB测试元件具有电介质层，所述电介质层的面积大于等于1μm2且小于等于1000000μm2。

3.根据权利要求2所述的测试电路，其特征在于，所述M个测试单元的TDDB测试元件的电介质层均为二氧化硅。

4.根据权利要求3所述的测试电路，其特征在于，所述M大于等于2，且所述M个测试单元的TDDB测试元件的电介质层的面积相等。

5.根据权利要求3所述的测试电路，其特征在于，所述M大于等于2，且所述M个测试单元的TDDB测试元件的电介质层的面积不完全相等。

6.根据权利要求5所述的测试电路，其特征在于，所述M大于等于3，且所述M个测试单元的TDDB测试元件的电介质层的面积呈等差数列或等比数列。

7.根据权利要求2所述的测试电路，其特征在于，所述M大于等于2，且所述M个测试单元的TDDB测试元件的电介质层不完全相同。

8.根据权利要求7所述的测试电路，其特征在于，所述M个测试单元的TDDB测试元件的电介质层的面积相等。

9.根据权利要求1所述的测试电路，其特征在于，所述第一等效电阻与第二等效电阻的比值大于等于100。

10.根据权利要求1所述的测试电路，其特征在于，还包括若干个电压采集装置，各所述电压采集装置分别电连接于不同的所述测试单元内，且电连接于所述TDDB测试元件与所述NMOS管之间。

11.一种半导体测试方法，其特征在于，包括以下步骤：

于如权利要求1至10中任一项所述的测试电路中的各所述TDDB测试元件上施加相同的测试电压；

记录所有所述TDDB测试元件的击穿寿命。

12.一种半导体测试方法，其特征在于，包括以下步骤：

于如权利要求10所述的测试电路中的各所述TDDB测试元件上施加相同的测试电压；

记录所有所述TDDB测试元件的击穿寿命，并记录各所述电压采集装置采集到目标电压的时间；

基于所述电压采集装置的位置、所述电压采集装置采集到目标电压的时间及记录的所有所述TDDB测试元件的击穿寿命判断各所述TDDB测试元件的击穿寿命。