[发明专利]半导体设备中的气体分配器和半导体设备有效
申请号: | 202010258810.2 | 申请日: | 2020-04-03 |
公开(公告)号: | CN111270221B | 公开(公告)日: | 2022-07-22 |
发明(设计)人: | 赵雷超;史小平;兰云峰;王勇飞;秦海丰;张文强;纪红 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;魏艳新 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种半导体设备中的气体分配器,包括分配器主体,分配器主体内设置有:气体分配管路、第一进气管路和多个第一出气管路,第一进气管路与气体分配管路的进气口连通,多个第一出气管路一一对应地与气体分配管路的多个出气口连通;分配器主体内还设有:气体分配腔、第二进气管路和多个第二出气管路,气体分配腔位于气体分配管路上方且环绕第一进气管路设置,气体分配腔的高度从中部至边缘逐渐减小,第二进气管路与气体分配腔的进气口连通,多个第二出气管路一一对应地与气体分配腔的多个出气口连通,第一出气管路和第二出气管路交错设置且均延伸至分配器主体的出气端面。本发明还提供一种半导体设备。本发明能够提高薄膜沉积的均匀性。 | ||
搜索关键词: | 半导体设备 中的 气体 分配器 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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