[发明专利]半导体设备中的气体分配器和半导体设备

权利要求书

1.一种半导体设备中的气体分配器，包括分配器主体，所述分配器主体具有出气端面，其特征在于，所述分配器主体内设置有：

气体分配管路、第一进气管路和多个第一出气管路，所述第一进气管路与所述气体分配管路的进气口连通，所述多个第一出气管路一一对应地与所述气体分配管路的多个出气口连通，其中，

所述气体分配管路包括：多个主管路、多个支路、至少一个环形管路，多个所述主管路呈辐射状分布，多个所述主管路的内端相互连通，并与所述第一进气管路连通，所述第一进气管路沿所述气体分配管路的轴线设置，

每个所述主管路的两侧均设置有与该主管路呈预设角度设置的多个所述支路，所述支路的内端与所述主管路连通，同一个所述主管路两侧的所述支路对称设置，所述气体分配管路的多个出气口设置在所述多个支路上，所述环形管路至少与所述多个主管路和所述多个支路中的部分支路连通；

所述分配器主体内还设置有：

气体分配腔、第二进气管路和多个第二出气管路，所述气体分配腔位于所述气体分配管路上方且环绕所述第一进气管路设置，所述气体分配腔的高度从所述气体分配腔的中部至边缘逐渐减小，所述第二进气管路与所述气体分配腔的进气口连通，所述多个第二出气管路一一对应地与所述气体分配腔的多个出气口连通，所述第一出气管路和所述第二出气管路交错设置且均延伸至所述分配器主体的出气端面；

所述第一进气管路用于通入第一反应源，所述第二进气管路用于通入第二反应源，所述第一反应源的扩散系数大于所述第二反应源的扩散系数。

2.根据权利要求1所述的气体分配器，其特征在于，所述气体分配腔中部的高度在2mm～4mm之间，所述气体分配腔边缘的高度在0.5mm～1mm之间。

3.根据权利要求1所述的气体分配器，其特征在于，所述环形管路的数量为多个，多个所述环形管路依次嵌套且同心设置，任意两个相邻的所述环形管路之间的距离相等。

4.根据权利要求1所述的气体分配器，其特征在于，从所述主管路的内端至外端，所述主管路的内径逐渐减小；从所述支路的内端至外端，所述支路的内径逐渐减小。

5.根据权利要求1所述的气体分配器，其特征在于，相邻两个所述主管路之间的多个所述支路相互平行。

6.根据权利要求1至5中任意一项所述的气体分配器，其特征在于，所述第二进气管路的横截面呈环状，所述第二进气管路环绕所述第一进气管路设置。

7.一种半导体设备，其特征在于，包括权利要求1至6中任意一项所述的气体分配器，所述第一进气管路的进气端与第一反应源供给装置连通，所述第二进气管路的进气端与第二反应源供给装置连通，所述第一反应源供给装置用于提供所述第一反应源，所述第二反应源供给装置用于提供所述第二反应源。

8.根据权利要求7所述的半导体设备，其特征在于，还包括：设置在所述分配器主体上的进气块，所述进气块内设置有第一传输通道和第二传输通道，所述第一传输通道用于将所述第一进气管路与所述第一反应源供给装置连通，所述第二传输通道用于将所述第二进气管路与所述第二反应源供给装置连通；

所述进气块与所述分配器主体之间设置有：第一密封圈和环绕该第一密封圈的第二密封圈，所述第一传输通道与所述第一进气管路的连接处位于所述第一密封圈内侧，所述第二传输通道与所述第二进气管路的连接处位于所述第一密封圈与所述第二密封圈之间。