[发明专利]一种新型键合硅片及其制备方法在审
| 申请号： | 202010219325.4 | 申请日： | 2020-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN111326570A | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 杨朔 | 申请（专利权）人： | 上海安微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/36 | 分类号： | H01L29/36;H01L29/06;H01L21/18 |
| 代理公司： | 合肥律众知识产权代理有限公司 34147 | 代理人： | 龙海丽 |
| 地址： | 200030 上海市徐汇*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明的主要目的为提供一种新型键合硅片及其制备方法，此方法采用衬底硅片和浅结扩散硅片键合替代成本高的外延片或深结扩散片，降低成本。制造过程采用对有源区硅片先进行扩散，再直接键合衬底硅片作为支撑，减少高低浓度过渡区，如图结构，硅片由高浓度衬底片10和扩散硅片30两部分直接键合而成，键合区20厚度小于2nm，扩散片30分为高浓扩散区31，过渡区32，低浓度有源区33组成。此种硅片可广泛用于垂直导通的半导体器件，降低成本，又保证低正向压降。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 硅片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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