[发明专利]制造半导体结构的方法在审
| 申请号： | 202010216488.7 | 申请日： | 2020-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN112420496A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 李永尧;徐振益;曾威翔 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/16 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 李春秀 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例涉及制造半导体结构的方法。本发明实施例提供一种方法，所述方法包含：提供第一板，其包含第一表面、与所述第一表面相对的第二表面及从所述第一表面朝向所述第二表面凹进的第一凹槽；提供半导体结构，其包含第三表面、与所述第三表面相对的第四表面及在所述第三表面与所述第四表面之间延伸的第一侧壁；将所述半导体结构放置在所述第一板上方；及将底涂材料安置在所述半导体结构的所述第三表面上方，其中在所述底涂材料的所述安置之后所述半导体结构的所述第四表面的外围部分与所述第一板的所述第一表面接触。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 结构 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
