[发明专利]一种异质结双极晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 202010215352.4 | 申请日： | 2020-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN111244169B | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 周春宇;常晓伟;王冠宇;耿欣;蒋巍;谭金波 | 申请（专利权）人： | 燕山大学 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/08;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京孚睿湾知识产权代理事务所(普通合伙) 11474 | 代理人： | 王冬杰 |
| 地址： | 066004 河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供一种异质结双极晶体管及其制备方法。本发明的异质结双极晶体管由于发射区和基区具有相同的物理结构，有效的降低了发射区和基区之间的寄生效应，提高了器件的频率特性；发射区宽度90纳米，有效降低了基区的本征电阻；集电区两侧采用嵌入式SiGe结构，在双轴应变的同时引入了单轴应变，将有效的降低载流子在集电区的传输时间，该结构同时减小了有效集电区宽度，降低了集电结电容，进一步提高了器件的频率特性；适当的选择Si帽层的厚度，可以有效降低界面处载流子的堆积，提高器件的增益；同时该双极晶体管的制备方法完全可以和90纳米的CMOS工艺兼容，有效的降低了器件的开发和制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 异质结 双极晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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